据THE ELEC近日消息，下一代服务器DRAM内存DDR6研发进程显著加快，三星电子、SK海力士、美光科技（MU.US）等主流厂商已联合基板供应商启动前置研发。据5月4日业内消息，各方基于初步方案正围绕内存厚度、堆叠结构及线路布局等开展设计，并制作原型验证性能。
DDR6理论数据传输速率预计较DDR5（最高8.4Gbps）提升一倍以上，但信号完整性与能效控制成为核心难点，推动基板厂商早期深度协同。行业惯例通常在量产前两年以上启动研发，而DDR6已提前开启。
JEDEC协会尚未最终确定DDR6标准，芯片厚度、I/O接口数量及信号传输规范等关键参数仍在协调中。厂商加速研发旨在主导行业标准，以获取技术先发与量产优势。
集邦咨询（TrendForce）数据显示，去年DDR5占服务器DRAM市场超80%，今年有望达90%，DDR4市占率已低于20%，退市讨论启动。受AI服务器高带宽需求驱动，研发节奏早于预期，但DDR6大规模量产仍预计不早于2028年。
